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AON6414AL  与  BSC886N03LS G  区别

型号 AON6414AL BSC886N03LS G
唯样编号 A36-AON6414AL A-BSC886N03LS G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8 mΩ @ 20A,10V 6mΩ
上升时间 - 3.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),31W(Tc) 2.5W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-DFN(5x6) -
连续漏极电流Id 13A(Ta),30A(Tc) 65A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleDualDrainTripleSource
系列 - BSC886N03
长度 - 5.9mm
栅极电荷Qg 24nC @ 10V -
下降时间 - 3ns
典型接通延迟时间 - 4.2ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 1,973 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9372
200+ :  ¥0.7205
1,500+ :  ¥0.627
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6414AL AOS  数据手册 功率MOSFET

13A(Ta),30A(Tc) N-Channel ±20V 8 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.3W(Ta),31W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

¥0.9372 

阶梯数 价格
60: ¥0.9372
200: ¥0.7205
1,500: ¥0.627
1,973 当前型号
IRFH8330TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.3W(Ta),35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 17A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC886N03LS G Infineon 功率MOSFET

BSC886N03LSGATMA1_30V 65A 6mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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